중국 최대 D램 제조업체인 창신메모리(CXMT)가 차세대 D램 기술인 '4F²(4F스퀘어)' 구조 개발 성공과 연내 서버용 DDR5 메모리 출시 계획을 발표하면서 글로벌 반도체 시장에 큰 파장이 일고 있습니다. 이 소식은 뉴욕증시와 국내 증시의 주요 메모리 반도체 관련주를 일제히 급락시키는 원인이 되었습니다. 특히 삼성전자와 SK하이닉스 등 국내 반도체 기업의 주가도 하락세를 면치 못하며 시장의 우려를 키우고 있습니다.
이번 창신메모리의 발표는 현재 상용화된 D램의 6F² 셀 구조보다 면적을 33% 줄여 저장 밀도를 높이는 기술로, SK하이닉스와 삼성전자가 2028년 양산을 목표로 개발 중인 기술을 중국이 먼저 선보이겠다는 점에서 '기술 격차 축소 및 공급 과잉' 우려를 자극했습니다. 그러나 블로그 리뷰에서는 제품 개발 선언과 안정적인 수율의 대량 양산은 별개이며, 이번 발표가 서버용 범용 D램에 국한되어 HBM(고대역폭메모리) 분야와는 여전히 기술적 격차가 크다는 점을 지적하며 냉정한 시각을 유지하고 있습니다.
과거 2026년 7월 당시 블로그 후기들에 따르면, 창신메모리가 상하이 증시 상장 첫날 465.8% 폭등하며 중국 증시 시가총액 1위에 올랐던 사건과 중국의 액침식 DUV 노광장비 자체 개발 보도가 겹치며 국내 증시가 급락했던 바 있습니다. 이러한 과거 기록들은 이번 4F² 기술 발표와 맞물려 중국 반도체 기술 추격에 대한 시장의 민감한 반응을 다시금 회자시키고 있습니다.
